九州大学先導物質化学研究所の横山士吉教授らの研究グループは、強誘電体(PLZT)薄膜をシリコン基板上に結晶膜を形成させる方法を見出し、超高速光変調器を作製することに成功しました。既存デバイスの10倍以上の動作効率を示し、高速性では170ギガボーレート以上で変調動作すできることを明らかにしました。このような超高速光変調は、6Gを支える様々な光ネットワーク伝送の最先端技術や光量子コンピュータを支える光集積技術への展開も期待できます。
詳細は下記のURLをご参照ください。
https://www.kyushu-u.ac.jp/ja/researches/view/1112
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